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晶圆减薄是什么操作流程
发布时间：2019-07-12 10:46:49
晶圆减薄，是在制作集成电路中的晶圆体减小尺寸，为了制作更复杂的集成电路。
集成电路制造技术的进步首先来源于市场需求的要求，其次是竞争的要求。在集成电路制造中，
半导体硅材料由于其资源丰富，制造成本低，工艺性好，是集成电路重要的基体材料。
从集成电路断面结构来看，大部分集成电路是在硅基体材料的浅表面层上制造。由于制造工艺的
要求，对晶片的尺寸精度、几何精度、表面洁净度以及表面微晶格结构提出很高要求。因此在几百道工
艺流程中，不可采用较薄的晶片，只能采用一定厚度的晶片在工艺过程中传递、流片。通常在集成电
路封装前，需要对晶片背面多余的基体材料去除一定的厚度。这一工艺过程称之为晶片背面减薄工
艺，对应装备就是晶片减薄机。
作用：
1.通过减薄/研磨的方式对晶片衬底进行减薄，改善芯片散热效果。
2.减薄到一定厚度有利于后期封装工艺。
常规工艺:
减薄/抛光到80-100um
粗糙度: 5-20nm
平整度: ±3um
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