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新型晶圆减薄背面金属化工艺的制作方法
发布时间：2019-07-29 14:45:20
集成电路制造技术的进步来源于市场以及竞争的要求。在集成电路制造中，半导体硅材料由于其资源丰富，制造成本低，工艺性好，是集成电路重要的基体材料。从集成电路断面结构来看，大部分集成电路是在硅基体材料的浅表面层上制造。由于制造工艺的要求，对晶片的尺寸精度、几何精度、表面洁净度以及表面微晶格结构提出很高要求。因此在几百道工艺流程中，不可采用较薄的晶片，只能采用一定厚度的晶片在工艺过程中传递、流片。通常在集成电路封装前，需要对晶片背面多余的基体材料去除一定的厚度。这一工艺过程称之为晶片背面减薄工艺。通过减薄的方式对晶片衬底进行减薄，不仅改善芯片散热效果，而且减薄到一定厚度有利于后期封装工艺。
现有技术中，将晶圆分离成单个芯片通常在晶圆减薄工艺完成之后，通过划片机在晶圆上划片形成划片道，由于划片道宽度比较宽，特别是对于本身管芯尺寸较小的产品，划片道占据的晶圆面积太大，从而减小晶圆的使用面积；利用光刻结合刻蚀的方法可以解决划片道过宽的问题，但是这种工艺形成的晶圆表面不能进行背面金属化处理；此外如果管芯本身不是方形的，比如是六边形或者圆形，用传统的砂轮划片方式并不适用。
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